Tartalomjegyzék:
A Samsung tovább halad olyan chipek fejlesztésében, amelyek jelentősen javítják mobil termináljainak teljesítményét, energiaoptimalizálását és autonómiáját. Ebből a szempontból nemrégiben jelentette be, hogy mérnökei egy új, három nanométeres chip kifejlesztésén dolgoznak, amely a „Get-all-around” technológiából épül fel, és amely felváltja a jelenlegi FinFET krimpelő rendszert. Ezzel az új, három nanométeres beépített lapkával igazi fejlődésnek lehetünk tanúi, alkalmazkodva a mesterséges intelligencia és az autonóm vezetés új technológiáihoz.
A 3 nanométeres chipek az akkumulátor felét használják fel, mint a jelenlegiek
Ha összehasonlítjuk a három nanométeres beépítésű chipet azokkal, amelyeket jelenleg hét nanométerben gyártunk, akkor ez a chip méretét akár 45% -kal, 50% -kal kevesebb energiafogyasztást és a hatékonyság 35% -os növekedését eredményezné. A Samsung által szabadalmaztatott új „Get-all-around” technológia függőleges nanoréteg-architektúrát (kétdimenziós nanostruktúrát tartalmaz, amelynek vastagsága 1-10 nanométer skálán terjed), amely akkumulátoronként nagyobb elektromos áramot tesz lehetővé a jelenlegi FinFET-folyamathoz képest.
Tavaly áprilisban a Samsung már megosztotta ügyfeleivel az új chip első fejlesztőkészletét, lerövidítve piaci bevezetését és javítva a tervezés versenyképességét. A Samsung mérnökei jelenleg a teljesítmény és az energiahatékonyság javításának mélységében vannak. Ha nem tudjuk az elmúlt hetekben telepíteni az elemeket, fejlesztenünk kell a processzorokat.
A Samsung a három nanométeres beépítésű új chip mellett az idei év második felében megkezdi a hat nanométeres beépítésű eszközök processzorainak sorozatgyártását. Az öt nanométer összeszerelését végző FinFET folyamat várhatóan az év végére megjelenik, tömegtermelését pedig a jövő év első felére tervezik. Ezenkívül a vállalat készül a négynanométeres processzorok fejlesztésére az év végén. Mikor jelennek meg a várva várt, három nanométeres beépítésű chipek? Még túl korai azt mondani.
